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在高温下Cl2＋H2体系可促使SiC转化为金刚石。论文从热力学角度分析了Cl2选择性刻蚀SiC制备金刚石时，Cl2和H2对sp2、sp3杂化形式的C-C键的作用机制，从理论上推导了SiC转化为金刚石的气源中Cl2、H2比例范围。建立了SiC结构向金刚石结构转变时形成金刚石团簇的理论模型，根据该模型解释了SCDD膜的增厚机制。