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大花蕙兰的种子在1/2 MS培养基上萌发并生长到直径0.5~1.0 mm后,转接到新的培养基继续生长并进行茎叶和根的分化。试验选择MS、1/2 MS、KC、VW四种培养基,各添加NAA 1 mg/L,pH值5,2。每个培养皿接种原球茎20个,培养温度25℃,光照强度3000 lx。经过90d的培养,期间每隔15d进行称重,计算出原球茎生长过程中质量的增加。结果证明萌发后的原球茎在1/2 MS培养基上生长最佳,其次为MS和KC,VW培养基不适宜原球茎的继续生长。