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据报导，英国剑桥大学和日本振兴事业团日前成功地在厚度20nm的纳米结晶硅薄膜上制作出可在室温下正常工作的单电子晶体管。这些薄膜的结构特征是：在非晶硅原料中含有直径4～8nm的硅结晶粒子：在源极和漏极之间，以点接合方式设计尺寸20nm×20nm
英日联手纳米结晶硅单电子晶体管问世
【摘 要】
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据报导，英国剑桥大学和日本振兴事业团日前成功地在厚度20nm的纳米结晶硅薄膜上制作出可在室温下正常工作的单电子晶体管。这些薄膜的结构特征是：在非晶硅原料中含有直径4～8nm的
【出 处】
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功能材料信息
【发表日期】
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2004年1期
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