二次离子质谱分析在半导体材料与器件工艺中的应用

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【摘要】

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本文简要总结国家表面物理实验室五年以来,尤其是近年来用O_2源与Cs源二次离子质谱的半导体分析工作,介绍了Si和GaAs材料中O杂质与掺杂元素离子注入浓度分布、热处理后掺杂元

【作者】

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王佑祥陈春华

【机构】

：

中国科学院半导体研究所北京100083中国科学院表面物理实验室北京100080

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

1993年2期

【关键词】

：

半导体材料半导体器件工艺质谱

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本文简要总结国家表面物理实验室五年以来,尤其是近年来用O_2源与Cs源二次离子质谱的半导体分析工作,介绍了Si和GaAs材料中O杂质与掺杂元素离子注入浓度分布、热处理后掺杂元素重新分布、辐照感生扩散增强效应、半导体超晶格和量子阱器件及δ掺杂的SIMS分析等四个典型的应用实例,说明了SIMS的重要性,同时提出了在应用SIMS数据时必须注意的几个问题.

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