【摘 要】
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UCLA,JPL和Epitronics报道了在半绝缘4H-SiC衬底上生长的非掺杂沟道Al0.30Ga0.70N/GaNHFET,器件没有制作空气桥,获得的fmax达到了107GHz的新记录。该器件包括一个100nmAlN缓
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UCLA,JPL和Epitronics报道了在半绝缘4H-SiC衬底上生长的非掺杂沟道Al0.30Ga0.70N/GaNHFET,器件没有制作空气桥,获得的fmax达到了107GHz的新记录。该器件包括一个100nmAlN缓冲层、1.25nm的未掺杂GaN、3nm的未掺Al0.30Ga0.70N和n型重掺杂(Si=1×1019cm-3)的30nm的Al0.30Ga0.70N?
UCLA, JPL, and Epitronics reported that undoped channel Al0.30Ga0.70N / GaNHFET grown on a semi-insulating 4H-SiC substrate has achieved a new record of fGHz of 107GHz without air bridges. The device includes a 100 nm AlN buffer layer, 1.25 nm undoped GaN, 3 nm undoped Al0.30Ga0.70N and 30 nm Al0.30Ga0.70N doped n-type heavily doped (Si = 1 × 10 19 cm -3)
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