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基于IME标准Ge—on-SOI工艺提出了一种全差分光电探测器结构，由定向耦合偏振分束器与锗垂直PIN光电探测器组成，可将一路由单模光纤输入的高速1550nm光信号转换为一对高速差分电信号。分析并设计了具体结构，进行了器件模拟，模拟得到定向耦合偏振分束器TE波与TM波的消光比分别为-16．7dB与-15．7dB，锗垂直PIN光电的响应度与带宽分别为0．42A／W与6．51GHz。