【摘 要】
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由于经济和技术的发展,深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无(少)缺陷方向发展.综述了深亚微米集成电路用硅单晶材料的研究和发展,指出对于已开始应用的3∞毫米硅单晶
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由于经济和技术的发展,深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无(少)缺陷方向发展.综述了深亚微米集成电路用硅单晶材料的研究和发展,指出对于已开始应用的3∞毫米硅单晶而言,磁场拉晶、计算机模拟、线切割、双面抛光等工艺成为大直径硅单晶研制的重要特征;利用晶体生长速率和固液界面的温度梯度的设计,硅单晶中的自间隙硅原子、空位以及相关的微缺陷可以被控制;通过快速热处理,引入和控制空位,进而控制氧沉淀的新型内吸杂技术,可以制备高质量的表面清洁区;利用氮杂质掺杂,可以抑制硅单晶中VOID缺陷和增加硅片的机械强度.最后
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