CdTe太阳电池组件的关键技术研究

• 作 者: 李卫 冯良桓 张静全 武莉莉 蔡亚平 郑家贵 蔡伟 黎兵 雷智
• 机 构: 四川大学材料科学与工程学院,成都,610064
• 出 处: 中国科学(E辑:技术科学)
• 发表日期: 2007年07期
• 关键词: CdTe 太阳电池组件 C-V特性曲线

采用化学水浴法沉积CdTe太阳电池的n型窗口层CdS多晶薄膜,用近空间升华法制备吸收层CdTe薄膜.为了获得优质的背接触,对退火后的CdTe薄膜用湿化学法腐蚀一富Te层,然后沉积背接触层.结果表明:具有ZnTe/ZnTe:Cu复合层的太阳电池性能优于其他背接触结构的电池.最后,采用激光刻蚀和机械刻蚀相结合,制备了glass/SnO2:F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe:Cu/Ni太阳电池小组件,其中一个CdTe太阳电池小组件的效率达到了7.03%(开路电压Voc=718.1mV,短路电流Isc