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【摘 要】
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本文根据硅片表层器件有源区中的缺陷对器件性能有着严重的影响，以及在制备器件时会引入的杂质和缺陷的事实，提出了使用内吸除技术来改进硅材料与器件的质量，并对与内吸除有关的
【机 构】
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上海有色金属研究所
【出 处】
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上海有色金属
【发表日期】
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1995年1期
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