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文章利用低压化学气相沉积法（LPCVD），在单晶Si衬底上制备多晶Si薄膜。利用原子力显微镜观察薄膜厚度和镀膜温度对多晶Si薄膜表面形貌的影响，并利用XRD研究退火温度对多晶Si薄膜结晶性能的影响。结果表明：镀膜温度越高、薄膜越厚，薄膜的晶粒尺寸越大；退火温度越高，薄膜的结晶越好。
LPCVD制备多晶Si薄膜的工艺和性能分析
【摘 要】
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文章利用低压化学气相沉积法（LPCVD），在单晶Si衬底上制备多晶Si薄膜。利用原子力显微镜观察薄膜厚度和镀膜温度对多晶Si薄膜表面形貌的影响，并利用XRD研究退火温度对多晶Si薄膜结
【机 构】
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合肥工业大学电子科学与应用物理学院
【出 处】
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合肥工业大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2012年11期
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