【摘 要】
:
以工业硅酸钠和盐酸为原料 ,采用化学沉淀法制备出纳米二氧化硅。工艺条件为 :温度 2 5~ 35℃、p H值 4~ 6、反应液质量浓度 1.15 g/ L、反应时间 10 min,添加一定量表面活性剂
【机 构】
:
成都蜀都电子粉体材料厂!四川成都610063,成都蜀都电子粉体材料厂!四川成都610063,成都蜀都电子粉体材料厂!四川成都610063,成都蜀都电子粉体材料厂!四川成都610063
论文部分内容阅读
以工业硅酸钠和盐酸为原料 ,采用化学沉淀法制备出纳米二氧化硅。工艺条件为 :温度 2 5~ 35℃、p H值 4~ 6、反应液质量浓度 1.15 g/ L、反应时间 10 min,添加一定量表面活性剂和分散剂。制得的二氧化硅 ,粒径 40~ 5 0 nm、比表面积大、分散性好、质量优良 ,已用于工业生产。
Industrial sodium silicate and hydrochloric acid as raw materials, the use of chemical precipitation nanosilica prepared. The technological conditions are as follows: the temperature is between 25 and 35 DEG C, the pH value is between 4 and 6, the reaction liquid mass concentration is 1.15 g / L and the reaction time is 10 min, and a certain amount of surfactant and dispersant are added. The obtained silica has a particle size of 40-500 nm, a large specific surface area, good dispersibility and good quality and has been used in industrial production.
其他文献
在我的收藏品中,数量最多的要数石头了。我以为,石头的收藏简单易行,不容易上当,只要是石头,都有成千上万年的历史了。更重要的是它易于摆设,院中、客厅、书房、卧室,甚至厨
研究硝酸后处理对阴极箔比容的影响和稳定化处理形成氧化膜的机理.硝酸浓度和温度低,侵蚀箔稳定化处理后氧化膜不稳定,容量衰减快.浓度和温度高,侵蚀箔容量损失大,侵蚀箔的初
要同时保证PTCR材料和元件具有低室温电阻率和较高的PTC特性,有较大难度.研究了添加Si3N4作为烧结助剂,对PTCR材料的显微结构和电学性能的影响.同添加SiO2作为烧结助剂相比,
主要对PbO-SrO-BaO-Nb2O5系铁电性微晶玻璃形成的温度制度作了研究.利用X射线粉末衍射(XRD)图谱确证在一定配比及合理的热处理温度下,能够形成铁电性微晶玻璃.其主晶相为四方
介绍了一种非晶硅 (a- Si)薄膜低温晶化的新工艺 :金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。研究了各种 a- Si/金属双层膜退火后的晶化情况。利用 X射线衍射分析了结晶硅膜的结构 ,通过
研究了 Zn O压敏电阻器的通流量、非线性系数α值及压敏电压与粉料粒径和 Sb2 O3含量的关系。研究结果表明 ,适当添加 Sb2 O3,将粉料超细粉碎 ,可以制成通流量 4× 10 3A/ cm
用 Ba0 .93- x (Sr0 .0 7Cax) Ti1 .0 0 6 O3系材料制备了常温电阻率小于 9Ω· cm的 PTCR热敏电阻。通过 Ca引入量的变化发现 :Ca含量对 PTCR热敏电阻的 R-θ性能影响较大 ;
请下载后查看,本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view profile.