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受电子器件芯片铝电极耐温性能的限制和钝化膜沉积避高能粒子对芯片辐射损伤等因素的影响，一般的沉积方法难以用到要求较高的浅结器件的钝化工艺中，微波ＥＣＲ－ＰＣＶＤ技术没有高能粒子对芯片的辐射损伤，可以在较低的温度条件下沉积出均匀致密，性能优良的Ｓｉ３Ｎ４薄膜，因而成为微电子器件沉积钝化膜的最佳工艺。