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碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究

来源 :智能电网 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yjfc000

【作 者】

：

黄润华  钮应喜  杨霏  陶永洪  柏松  陈刚  汪玲  刘 

【出 处】

：

智能电网

【发表日期】

：

2015年02期

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