256×256元IRCCD的设计及灵敏度改善

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叙述了256×256元PtSi肖特基势垒红外焦平面的工作原理和设计考虑。器件采用四相ITCCD结构。像元尺寸和填充系数分别为60×50(μm~2)和35%。采用薄金属膜和光腔结构改善了器件的灵敏度。势垒高度为0.22ev,相应的截止波长为5.6μm。在室温目标下,用该器件摄得了较好的红外图像。 Describes the work principle and design considerations of 256 × 256 element PtSi Schottky barrier infrared focal plane. The device uses a four-phase ITCCD structure. The pixel size and fill factor are 60 × 50 (μm ~ 2) and 35%, respectively. Thin metal film and optical cavity structure to improve the sensitivity of the device. The barrier height is 0.22 eV and the corresponding cut-off wavelength is 5.6 μm. A good infrared image was obtained with this device at room temperature.
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