等离子体增强CVD法沉积的微晶硅薄膜的微结构研究

• 作 者: 陈永生 杨仕娥 卢景霄 郜小勇 张宇翔 王海燕 李瑞
• 机 构: 郑州大学物理系
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2005年4期
• 关键词: 微晶硅薄膜 晶化率 等离子体增强化学气相沉积 microcrystalline silicon film crystalline volume fraction

本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响.表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大.沉积薄膜的晶化率最大可达80%,表面粗糙度大约为30nm.通过对反应过程中的能量变化进行了分析,得到反应为放热反应,且非晶结构对沉积参数比较敏感.