【摘 要】
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测量了650～1200℃范围内烧成的掺杂 Sb_2O_3的 SnO_2样品的电阻率。实验表明,随样品烧成温度的提高,样品的电阻率下降。X 射线物相分析指出,在650～1000℃烧成的样品,Sb_2O_3完
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测量了650～1200℃范围内烧成的掺杂 Sb_2O_3的 SnO_2样品的电阻率。实验表明,随样品烧成温度的提高,样品的电阻率下降。X 射线物相分析指出,在650～1000℃烧成的样品,Sb_2O_3完全转变成了 Sb_2O_4,1100℃烧成的样品大部分为 Sb_2O_4,而1200℃烧成的样品几乎全为 Sb_2O_3。对于不同温度下烧成的样品作了精密晶胞参数测定,结果表明,在半密封条件下,650～1100℃使 Sn_O_2半导化的是 Sb_2O_4中的 Sb~(5+),在1200℃使 SnO_2半导
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