Cu/Sn原子比对溅射法制备的Cu2SnS3薄膜性能的影响

• 作 者: 贾宏杰 程树英 马为民 胡晟 崔广州 林真 周健飞 钟胜铨
• 机 构: 福州大学物理与信息工程学院
• 出 处: 功能材料
• 发表日期: 2020年11期
• 关键词: Cu2SnS3薄膜 磁控溅射 Cu/Sn原子比 太阳电池吸收层 Cu2SnS3 thin filmMagnetron SputteringCu/Sn ratio
• 基金项目: 福建省自然科学基金资助项目(2017J01503),福州大学本科生科研训练计划项目基金资助项目(25252、25253)

利用磁控溅射法在玻璃基片上沉积Sn/Cu叠层前驱体并将前驱体在H2S:N2气氛中硫化制备Cu2SnS3薄膜。制备出Cu/Sn原子比不同的薄膜样品,利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描隧道显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、Hall测量系统等表征手段对薄膜进行性能表征。研究了Cu/Sn原子比对Cu2SnS3薄膜性能的影响。结果表明,制备的薄膜是(^-131)晶向择优生长的Cu2SnS3多晶薄膜,当Cu2SnS3薄膜的Cu/Sn原子比为1.91时,获得结晶性能优异、半导体性能满足太阳电池对吸收层要求的P型Cu