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SnO2作为一种典型的宽带隙半导体材料具有许多优异的物理和化学性质，例如极高的电子电导率、可见光透过率和化学稳定性，因此广泛用于光电材料、太阳能电池和气敏材料等各领域。采用溶胶．凝胶法在玻璃基片上制备了Ta掺杂SnO2透明导电薄膜，其中Ta含量在8atom．％左右。Ta：SnO2薄膜的表面形貌较平整，但由于局部应力使薄膜出现了细小的断裂。Ta：SnO2薄膜为金红石结构，结晶程度较高，由于Ta5＋、Sn4＋离子半径接近，Ta原子溶入SnO2的晶格中置换Sn原予位置形成了稳定均一的固溶体结构，因此没有第二相出