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采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂，通过退火实现了ZnO薄膜的P型转变。利用X射线衍射（XRD）和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究。实验数据表明，该掺杂方法能得到稳定的P型ZnO薄膜，其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善，其中在950℃、7min退火条件时，载流子浓度为1．68E＋16cm^-1，电阻率为41．5Ω·cm。