【摘 要】
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采用真空热蒸发技术在单晶硅基底上沉积PVDF薄膜.通过分析阻蒸温度对薄膜沉积速率和真空室气压变化的影响研究了PVDF镀膜过程.同时利用傅立叶变换衰减全反射红外光谱(ATR-FTI
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采用真空热蒸发技术在单晶硅基底上沉积PVDF薄膜.通过分析阻蒸温度对薄膜沉积速率和真空室气压变化的影响研究了PVDF镀膜过程.同时利用傅立叶变换衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)、X射线衍射(XRD)和差热分析(DSC)对薄膜的晶型结构进行了表征分析,结果发现,真空热蒸发技术可制备具有高度取向性的α晶相PVDF薄膜,且薄膜中不舍C=C键.相比于PVDF树脂粉末,所得薄膜的结晶度明显增大而分子量显著减小,实现了PVDF薄膜的低维化制备.
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