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利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜.详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响.结果表明: ZAO薄膜具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长;衬底温度和氧分压对薄膜的电阻率有很大影响;基底温度对薄膜的可见光透过率影响不大,但随氧分压的增大而增大;在衬底温度为250℃、氧分压为1%时,薄膜有最优化的电阻率和平均透光率,分别达到8.35×10-4Ω·cm和85.2%.