【摘 要】
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本文报道利用国产分子束外延(MBE)设备和Be元素生长的p-GaAs的低温光荧光谱,观察到FE,(D°,X),(A°,X),(D~+,X)等束缚激子发光,判断外延层有较好的质量。在1.503～1.515eV之间
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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本文报道利用国产分子束外延(MBE)设备和Be元素生长的p-GaAs的低温光荧光谱,观察到FE,(D°,X),(A°,X),(D~+,X)等束缚激子发光,判断外延层有较好的质量。在1.503～1.515eV之间观察8条与缺陷有关的(d,x)发光线。仔细分析了与Be,Ge受主有关的(BA)和(DA)发光现象。
In this paper, the low-temperature photoluminescence (PL) spectra of p-GaAs grown by MBE and Be element have been reported in this paper. FE, (D °, X), (A °, X) Excited excitons and other light-emitting, to determine the quality of the epitaxial layer. Eight defect-related (d, x) luminescence lines were observed between 1.503 and 1.515 eV. Careful analysis of the (BA) and (DA) luminescence associated with Be, Ge acceptors.
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