【摘 要】
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日本一技术开发机构经过实验确认 ,短波长的紫外线可制造线宽为 0 0 7μｍ的半导体元件 ,实用化后可将存储元件的信息存储容量提高 60倍。现在的半导体元件加工技术多采用波长
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日本一技术开发机构经过实验确认 ,短波长的紫外线可制造线宽为 0 0 7μｍ的半导体元件 ,实用化后可将存储元件的信息存储容量提高 60倍。现在的半导体元件加工技术多采用波长为 2 50ｎｍ的紫外线激光在线路板上曝光 ,能够蚀刻线宽为0 2 5～ 0 15μｍ的半导体元件。由日本政
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