激光照射下的低温氧化生成锗的纳米结构及其特性

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dingxiaoyun

【摘要】

：

在高精度椭偏仪(HPE)系统中,采用激光照射硅锗合金衬底助氧化的新方法,在SiO2层中生成锗的双纳米面结构;并在样品生长过程中,用HPE同步测量样品的纳米结构. 用Raman光谱仪测

【作者】

：

黄伟其刘世荣

【机构】

：

贵州大学物理系,光电子实验室,贵阳市,550026中国科学院地化所电镜室,贵阳市,550003;

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

高精度椭偏仪锗的纳米结构 PL光谱量子受限

【基金项目】

：

贵州省自然科学基金;

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在高精度椭偏仪(HPE)系统中,采用激光照射硅锗合金衬底助氧化的新方法,在SiO2层中生成锗的双纳米面结构;并在样品生长过程中,用HPE同步测量样品的纳米结构. 用Raman光谱仪测量样品的横断面,发现很强的PL发光谱峰. 用量子受限模型和改进的量子从头计算(UHFR)方法分析了PL光谱的结构.

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