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研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结荧光探测器的结构和制备工艺，详细讨论了探测器单元的结构优化设计和暗电流和灵敏度等特性，实验表明，采用α－ＳｉＣ／α－Ｓｉ异质结构，提高沉积非晶硅基薄膜的本底真空度，优化制备工艺，可制备高信噪比的非晶硅荧光探测器。
16元非晶硅荧光探测器的结构和工艺
【摘 要】
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研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结荧光探测器的结构和制备工艺，详细讨论了探测器单元的结构优化设计和暗电流和灵敏度等特性，实验表明，采用α－ＳｉＣ／α－Ｓｉ异质结构，提高沉积非晶硅基薄膜的本底真
【机 构】
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华中理工大学固体电子学系
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1995年1期
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