太赫兹源场致发射电子源

• 作 者: 狄云松 张晓兵 雷威 章莉芳 崔云康 王琦龙 陈静
• 机 构: 南京师范大学物理科学与技术学院,东南大学电子科学与工程学院,南京工程学院基础部
• 出 处: 强激光与粒子束
• 发表日期: 2013年6期
• 关键词: 场致发射 电子束 太赫兹源 电流密度 field emission electron beam terahertz source current dens
• 基金项目: 国家自然科学基金项目（51120125001,60971017,61101023）,江苏省高校自然科学基础研究项目（12KJB510004）,南京工程学院创新基金项目（CKJ2010013）

通过粒子模拟（PIC）软件模拟计算了在ps级别下二极与三极结构碳纳米管场致发射的电流密度与电子注聚焦性能。阳极电压在2 kV时，二极结构下电流密度达到1.85 A/cm2；三极结构下，栅压700 V时发射电流密度达到2.3 A/cm2，且在一定的三极结构参数与电极电压下，可以获得较好的电子注聚束效果。通过碳纳米管二极管发射实验，获得了6.6 A/cm2的发射电流密度，总发射电流达到52.1 mA，可以为太赫兹器件提供连续发射的电子注。