基于90nm MirrorBit技术的高容量闪存芯片

来源 :电信技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:weishaohua1982
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由AM D和富士通公司共同投资的Spansion LLC闪存公司,展示了基于90nm M irrorBit技术的单芯片1Gbit/sGL NOR闪存,验证了1Gbit/s ORNAND闪存的工作芯片。该芯片可以提供出色的读取性能,从而满足很多嵌入式应用对高容量代码和数据存储的需求,为开发多款满足无线和嵌入式应用而将 Spansion LLC, a joint venture between AM D and Fujitsu Limited, demonstrated single-chip 1Gbit / sGL NOR flash based on 90nm MirrorBit technology and validated the working chip for 1Gbit / s ORNAND flash memory. The chip can provide excellent read performance, so as to meet many embedded applications for high-capacity code and data storage needs, to develop a variety of wireless and embedded applications to develop and will
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