【摘 要】
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集成度为1～4M(兆位)的超大规模集成电路的配线宽度应小于1微米,由于电流密度增加,电子迁移引起断线。铝材极限电流密度为10~6安/厘米~2,因此期待用钨、钼、钽、钛、锆等难熔
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集成度为1～4M(兆位)的超大规模集成电路的配线宽度应小于1微米,由于电流密度增加,电子迁移引起断线。铝材极限电流密度为10~6安/厘米~2,因此期待用钨、钼、钽、钛、锆等难熔金属
The integration width of 1 ~ 4M (megabit) VLSI wiring width should be less than 1 micron, due to the increase in current density, electron transfer caused by disconnection. Current limit of aluminum current density is 10 ~ 6 A / cm ~ 2, so expect to use tungsten, molybdenum, tantalum, titanium, zirconium and other refractory metals
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