【摘 要】
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以n-Si为衬底,用PECVD方法淀积了多晶金刚石薄膜.采用以金刚石薄膜为阴极的二极管结构测试了场发射特性,在6 V/μm的电场下,场发射电流为5 μA.研究了场发射的有效势垒随外加
【机 构】
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清华大学微电子研究所,西安交通大学电信学院真空微电子所。陕西西安710049
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以n-Si为衬底,用PECVD方法淀积了多晶金刚石薄膜.采用以金刚石薄膜为阴极的二极管结构测试了场发射特性,在6 V/μm的电场下,场发射电流为5 μA.研究了场发射的有效势垒随外加电场的变化,发现在有效势垒随外电场变化的曲线中存在一段平台.从理论上对这种现象进行了研究,分析了电子从Si衬底注入金刚石薄膜的方式,认为有效势垒的平台是由于缺陷能级在金刚石禁带中分布不均匀所致,并由此建立了在注入限制情况下多晶金刚石薄膜的场发射模型.根据模型计算得到有效势垒的理论曲线与实验曲线,反映了相同的变化规律.
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