【摘 要】
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在ｐ－型ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格材料上制作金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构．报道了ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格的分子束外延生长、器件制作和测量结果．研究表明，比较宽的ＣｄＴｅ势垒阻碍了少子（电子）到界面的迁移，在７７Ｋ强反型区域的低频电容不能
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室
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在ｐ－型ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格材料上制作金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构．报道了ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格的分子束外延生长、器件制作和测量结果．研究表明，比较宽的ＣｄＴｅ势垒阻碍了少子（电子）到界面的迁移，在７７Ｋ强反型区域的低频电容不能达到绝缘层电容，类似于普通ＭＩＳ器件的高频Ｃ—Ｖ曲线．
A metal-insulator-semiconductor (MIS) structure is fabricated on a p-type HgTe / CdTe superlattice material. The molecular beam epitaxial growth, device fabrication and measurement results of HgTe / CdTe superlattices were reported. The research shows that the relatively wide CdTe barrier hinders the migration of the minority electron (electron) to the interface, and the low frequency capacitance in the region of 77K strong inversion can not reach the capacitance of the insulating layer, which is similar to the high frequency C-V curve of an ordinary MIS device.
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