Subthreshold current model of fully depleted dual material gate SOI MOSFET

来源 :药物分析学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jiabhh

【摘要】

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Dual material gate SOI MOSFET with asymmetrical halo can suppress short channel effect and increase carriers transport efficiency. The analytical model of its s

【出处】

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药物分析学报：英文版

【发表日期】

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2007年2期

【基金项目】

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This work was supported by the National Natural Science Foundation of China (No60472003)

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Dual material gate SOI MOSFET with asymmetrical halo can suppress short channel effect and increase carriers transport efficiency. The analytical model of its subthreshold drain current is derived based on the explicit solution of two-dimensional Poisson&

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