IR新型-30V P沟道功率MOSFET使设计更简单灵活

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全球功率半导体和管理方案厂商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出新系列-30V器件,采用IR最新的SO-8封装P沟道MOSFET硅组件,适用于电池充电和放电开关,以及直流应用的系统/负载开关。新款P沟道器件的导通电阻(RDS(on))为4.6mΩ至59mΩ,可匹配广泛的功率要求。 International Rectifier (IR), a global leader in power semiconductors and management solutions, introduces a new family of -30V devices using IR’s latest SO-8 packaged P-channel MOSFET silicon components for battery charging and discharging switches as well as DC applications System / load switch. The on-resistance (RDS (on)) of the new P-channel devices ranges from 4.6mΩ to 59mΩ and matches a wide range of power requirements.
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