论文部分内容阅读
提出了一种功率AlGaAs／GaAsHBT的自加热温度模型，讨论了在大电流条件下，器件晶格温度升高和基区扩展效应对HBT器件频率特性的影响，并对器件的晶格温度、截止频率和最高振荡频率在自加热条件下的变化分别进行了计算和模拟．
功率AlGaAs/GaAs HBT自加热频率特性
【摘 要】
：
提出了一种功率AlGaAs／GaAsHBT的自加热温度模型，讨论了在大电流条件下，器件晶格温度升高和基区扩展效应对HBT器件频率特性的影响，并对器件的晶格温度、截止频率和最高振荡频率在
【机 构】
：
西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
：
计算物理
【发表日期】
：
2003年5期
其他文献
党的十六届五中全会强调要坚定不移地以科学发展观统领经济社会发展全局.其重要意义在于,作为推进社会主义现代化的世界观和方法论,作为中国经济社会发展的指导思想,科学发展