PLZT纳米功能陶瓷的制备及其微结构研究

• 作 者: 何聚 王立群 宿杰 何黎 余大书
• 机 构: 天津师范大学物理与电子信息学院,黄山学院电子信息工程系
• 出 处: 天津师范大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2006年3期
• 关键词: 锆钛酸镧铅 光电陶瓷 共沉淀 正电子湮没 空位缺陷 PLZT photostrictive ceramic coprecipitation positron a

用共沉淀的方法制备得到PLZT纳米晶体，借助傅立叶红外光谱、热重一差热、X射线衍射及正电子湮没对样品进行了研究．分析表明：运用反滴法在pH为9．6时的共沉淀较完全，组分丢失少，经720℃煅烧得到平均粒径为52nm的PLZT纳米晶体；正电子研究结果表明，La^3＋掺杂对PLZT晶体微结构有重要影响，随La^3＋量增加，晶体中阳离子空位缺陷增加，当La^3＋量增加到9％以后，阳离子空位缺陷减小，浓度增幅减缓．