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超大规模集成电路与真空微电子器件的发展，要求制备超线浅Ｐ－Ｎ结，低能量和大倾斜角离子注入成为一种有吸引力的新技术，本文借助于曳散射沟道分析以及剥层霍尔测试，研究了能量为１０ｋｅＶ，入射束与样品法线的夹角分别为７°，１５°，３０°和６０°的Ａｓ＾＋离子注入到硅中造成的辐射损伤及其退火特性。
硅中低能大倾斜角砷注入的损伤行为及其退火特性
【摘 要】
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超大规模集成电路与真空微电子器件的发展，要求制备超线浅Ｐ－Ｎ结，低能量和大倾斜角离子注入成为一种有吸引力的新技术，本文借助于曳散射沟道分析以及剥层霍尔测试，研究了能量为１０ｋｅＶ，入射束
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1995年7期
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