Cu/Ta/SiO2/Si多层膜纳米压痕与压痕下微观结构的研究

• 作 者: 卢茜 吴子景 吴晓京 Weidian Shen 蒋宾
• 机 构: 复旦大学材料科学系,复旦大学微纳米电子平台,东密歇根州大学天文物理系,上海集成电路R＆D中心
• 出 处: 电子显微学报
• 发表日期: 2008年4期
• 关键词: Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构 纳米压入技术 压痕下微观结构 Cu/Ta/SiO2/Si multilayer nanoindentation mi

Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多层膜结构出现分层现象。TEM分析表明分层出现在Ta/SiO2界面,说明这是该结构的一个薄弱环节。