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为了研究由1维特定掺杂光子晶体生成的孪生缺陷模与缺陷层厚度的关系，采用特征矩阵的方法进行了理论分析。结果表明，当整体改变这种缺陷层厚度时，孪生缺陷模低频和高频模位置的变化情况各不相同；当仅改变缺陷层的正折射率材料的厚度时，随着厚度增加，孪生缺陷模红移；当仅改变缺陷层负折射率材料的厚度时，随着厚度增加，缺陷模蓝移；并且孪生缺陷模透射率的变化也很复杂。这一结果为设计有特殊用途的光子晶体器件提供了理论依据。