【摘 要】
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如果再进一步发展,室温下环形振荡器速度将能达到1ps左右。日本电信电话(NTT)LSI研究所已经得到室温下ECL门最快延迟为1.9ps的结果,开发了能减小集电极渡越时间的新结构AlGaA
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如果再进一步发展,室温下环形振荡器速度将能达到1ps左右。日本电信电话(NTT)LSI研究所已经得到室温下ECL门最快延迟为1.9ps的结果,开发了能减小集电极渡越时间的新结构AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管。以前已经报道过2.6ps的结果,而这次进一步使器件参数最佳化,器件工作在截止频率f_T的最高点。通过取最合适的集电极i-p~+-n~+多层结构的掺杂浓度以减小电场,并使电子以高于饱和速度运动的区域变宽,f_T最高可达105GHz。
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