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据美国物理学家组织网9月22日（北京时间）报道,法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上,成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。此前,氮化镓只能用于（111）-硅上,而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体（CMOS）芯片一般在（100）-硅或（110）-硅晶圆上制成。