【摘 要】
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本文分析了集成电路掩膜材料的发展过程,特别是彩色版的发展及其应用,从而提出以a-Si:H合金薄膜作为一种新的掩模材料的可能性.我们认为由于a-Si:H中大量的H的存在,明显地改
【机 构】
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南开大学物理系,南开大学物理系,南开大学物理系,南开大学物理系,
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本文分析了集成电路掩膜材料的发展过程,特别是彩色版的发展及其应用,从而提出以a-Si:H合金薄膜作为一种新的掩模材料的可能性.我们认为由于a-Si:H中大量的H的存在,明显地改变了a-Si的光学吸收边,比起单晶硅要向短波方向移动0.5ev.同时利用a-Si:H的高吸收系数,可使这种材料具有以下透光特性,即在短波方面把所
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