【摘 要】
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用小波极大模统计参量研究了MOSFET器件辐照损伤低频噪声的时间序列.将辐照前后实验测量的低频噪声信号与数值模型产生的噪声信号统计特性相比较,发现nMOSFET和pMOSFET的低频
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学技术物理学院
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用小波极大模统计参量研究了MOSFET器件辐照损伤低频噪声的时间序列.将辐照前后实验测量的低频噪声信号与数值模型产生的噪声信号统计特性相比较,发现nMOSFET和pMOSFET的低频噪声小波极大模统计结果均与随机电报噪声叠加模型数值信号的统计特性相接近.辐照前nMOSFET和pMOSFET的统计结果很接近,以致无法区分;辐照后两种器件的小波极大模分布出现明显差异.根据小波极大模统计量判断,随机电报噪声叠加是nMOSFET和pMOSFET低频噪声的主导产生机制,辐照并没有在器件中引入新的缺陷类型,而是使原有
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