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利用质子激发单元素靶或化合物靶产生的特征X射线源和Si(Li)探测器,在3.3—29.1keV能区测量了锡的质量衰减系数。对于较强而孤立的特征X射线,质量衰减系数的误差≤±1％。从实验测得的总截面中减去理论计算的散射截面(本能区里,散射截面只占总截面的1％—11％)便得到了总的光电截面值。
3.3keV—29.1keV能区Sn的X—射线衰减系数和光电截面
【摘 要】
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利用质子激发单元素靶或化合物靶产生的特征X射线源和Si(Li)探测器,在3.3—29.1keV能区测量了锡的质量衰减系数。对于较强而孤立的特征X射线,质量衰减系数的误差≤±1％。
【机 构】
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北京辐射中心,北京辐射中心北京师大低核所,北京师大低核所,北京师大低核所
【出 处】
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原子与分子物理学报
【发表日期】
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1992年1期
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