日本富士通公司开发1Gb DRAM用的抗蚀剂

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日本富士通公司研制成用256Mb~1GbDRAM的高性能抗蚀剂。1GbDRAM中要求有0.2m以下的线宽,而为了实现其微细图形,把混合气体的ArF用于激光器光源的准分子光刻是不可缺少的。现所开发的抗蚀剂最早达到世界实用水平,并已应用于ArF光刻。日本富士通公司开发1Gb DRAM用的抗蚀剂@ Japan’s Fujitsu company developed with 256Mb ~ 1GbDRAM high performance resist. 1GbDRAM requires a linewidth of 0.2 m or less, and in order to realize its fine pattern, it is indispensable to use an ArF of a mixed gas for excimer laser of a laser light source. Now the development of the first to resist the world’s practical level, and has been applied to ArF lithography. Fujitsu Japan to develop 1Gb DRAM for Resist @
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