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用变分法分别计算ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ单量子阱和多量子阱在纵向（垂直于异质结界面的方向）外电场作用下激子的基态能级，讨论了电场对激子的峰移、偶极振子强度和交换能的影响。
GaAs—AlxGa1—xAs量子阱中的激子在纵向外电场中的性质
【摘 要】
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用变分法分别计算ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ单量子阱和多量子阱在纵向（垂直于异质结界面的方向）外电场作用下激子的基态能级，讨论了电场对激子的峰移、偶极振子强度和交换能的影响。
【机 构】
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兰州大学物理系
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1994年3期
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