多孔硅的电荷存贮特性与光电压滞后衰减

• 作 者: 孙甲明 张吉英 申德振 范希武
• 机 构: 中国科学院长春物理研究所,中国科学院长春物理研究所长春130021,长春130021,长春130021
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 1993年2期
• 关键词: 多孔硅 电荷储存 光电压 衰减

<正> 自从Canham在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究。我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰减现象。在本文中主要对如上实验结果进行了分析和探讨。认为在Nd:YAG激光器的1.06μm脉冲激光激发下观测到多孔硅的光电压现象是由于多