【摘 要】
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室温下，用直流磁控反应溅射方法在 Ｎ２ ／ Ａｒ 混合气体中淀积了 Ａｌ Ｎ 薄膜，所用衬底是（１００）面的半绝缘 Ｇａ Ａｓ 单晶片．研究了反应条件，如反应气压、反应气体配比、直流功率，对薄膜的物理性质和化学
【机 构】
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室温下，用直流磁控反应溅射方法在 Ｎ２ ／ Ａｒ 混合气体中淀积了 Ａｌ Ｎ 薄膜，所用衬底是（１００）面的半绝缘 Ｇａ Ａｓ 单晶片．研究了反应条件，如反应气压、反应气体配比、直流功率，对薄膜的物理性质和化学性质的影响．为了得到适于 Ｇａ Ａｓ Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ 钝化的薄膜，还对反应条件进行了优化．
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