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本文探讨以直接氧化法生成的初级化学二氧化锰经过重质化后所制备的化学二氧化锰（ＣＭＤ）的半导体性质，以及质子在ＭｎＯ２晶体内部的扩散速率对ＭｎＯ２电池活性的影响。研究结果表明，样品表现出ｎ－型半导体的特征，其电子浓度和电子迁移率均比初级品增大，在９ｍｏｌ／ＬＫＯＨ溶液中进行放电时，主要是由质子在ＭｎＯ２晶格中的扩散来决定ＭｎＯ２的品质。