磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

• 作 者: 吴厚政 刘宜华 代由勇 张林 萧淑琴
• 机 构: 山东大学物理与微电子学院
• 出 处: 金属学报
• 发表日期: 2002年10期
• 关键词: 磁场退火 巨磁阻抗效应 非晶态软磁钴基合金薄带 趋肤效应 giant magnetoimpedance effect Co based amorphous s

本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800 kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT.