【摘 要】
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<正>1.TVS二极管的介绍:TVS是由硅通过扩散工艺形成P-N结的半导体二极管器件,包含有齐讷击穿（低压）和雪崩击穿（高压）击穿机制。主要用来在极短的时间内(约1p秒=1×10-12秒)吸收过
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<正>1.TVS二极管的介绍:TVS是由硅通过扩散工艺形成P-N结的半导体二极管器件,包含有齐讷击穿（低压）和雪崩击穿（高压）击穿机制。主要用来在极短的时间内(约1p秒=1×10-12秒)吸收过压,大功率冲脉的冲击而将电压箝位在一定的范围内以保护别的元器件免受冲击。TVS有两种类形:一种是单向的TVS（Unidirectional）符号表示为（?）,用来保护直流电压,它的阴极应接在电压的正端;另一种是双向TVS（Bi-directional）符号表示为（?）,它等同于由两只单向TVS反向串接而成,在使用时可以不考虑电压的正和负端。
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