【摘 要】
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利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极并外延生长（100）Pb（Zr0.52Ti0.48）O3铁电薄膜,系统研究了生长温度对PZT外延结构和电学特性的影响。研究发现当生长温
【机 构】
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上海交通大学微电子学院,中芯国际集成电路制造上海有限公司,电子科技大学电子工程学院
【基金项目】
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国家安全重大基础研究基金资助项目（51310Z）
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利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极并外延生长（100）Pb（Zr0.52Ti0.48）O3铁电薄膜,系统研究了生长温度对PZT外延结构和电学特性的影响。研究发现当生长温度高于550℃时即可得到外延（100）PZT薄膜。在对所制备的PZT薄膜的结构和性能测试表明,650℃下生长的PZT薄膜外延性最佳,并且表现出优异的介电和铁电性能,介电常数ε、剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为900、26.5μC/cm^2和52.1kV/cm。试验还证实这种外延PZT薄膜具有优良的抗疲劳特性,
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